内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 🌹英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

包括MoP ，英特容量也更大
，专利一个可选的技术基础芯片、前一段时间高通提出了HBC架构
，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案，

专利HBC提供了更快、技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，

从目标定位 、专利成本相比HBM4会更低
 。技术以便在供应短缺、目标瞄准以及功率等方面取得平衡
。英特封装尺寸与HBM 4保持一致 。专利以及一个堆叠的技术存储芯片。XBM采用了后段晶体管设计 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，包括一个封装基板 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，后端金属互连层），业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更具可扩展性的处理 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，预计2030年前后实现商业化 
。

虽然LPDDR更高效、过去几年里  ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。不过尚未进入商业化阶段
。采用3D堆叠芯片解决方案 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。更高效、相较于HBM，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，性能指标和商业化时间表来看 ，将计算与高速内存带宽结合 ，

根据英特尔的描述
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，不过现在部分产品改用了LPDDR
，价格、能够带来更高的带宽。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，但是也存在带宽不足的问题。